粒度/-/用筛分检查:W--W.用显微镜法检测。筛分在拍击式振筛机上进行。转速r/min，拍擊次数次/；min，拍击高度(士mm，网孔尺寸im的检查筛应使用金属絲筛网，其技术要求应符合ISO和ISO/的规定。优惠u金刚石的分类有多种，细碎的用于手工业。人造金刚石用于工业。按金刚石晶体类型分为单晶体与多晶体(聚品---分为生长型与烧结型)。按晶体结构分为立方金刚石和方金刚石。立方金刚石为面心立方，属闪碎矿型结构。方金刚石的特征为密排方，属纤维矿型结构|。A为了减小贴附应力及熱应力影响，在直径为mm工件座垫上用布带(两面)贴附BK-玻璃工件，内凹。浮动抛光后的工件經干涉系统MarkIII测定，测定结果如图-(a)所示元氏县，Zapp的P-V平麪度为.λ=λ/=.μm，Phase的P-V平面度为.λ=λ/=.μ棕刚玉斜三角m，rms平面度均为.λ=λ/=.μm。图-(b)所示为线胀系数极小的Zerodur试件平面度变化过程，初P-V值为λ=μm的凹面，通过抛光去除凸部，终用-h达到.λ=.μm平面度。用X射线对SiC晶体结构进行衍射分析证明，SiC的晶型有a-Sib-SiC。a-SiC。为高温稳定型。b-SiC为低温稳定型。b-SiC向a-SiC转变的温度始於度，但转变速率很小，在.GPa的压力下，晶体参数为a=b=d≠c(或a=b≠c耐磨金刚砂地面施工)，a=b=度，y=度为简单方点阵，阵点坐标为金刚砂有几种颜色[，H-SiC，R-SiC。b-SiC用C-SiC命名。H表示方晶系结构，R表示菱面金刚砂耐磨地体结搆，C表示立方晶体结构，表示晶体沿c：轴周期的层数。H-SiH-SiC为方晶体结构，R-SiC为菱方方体结构。b-SiC(或C-SiC)为面心立方休结构(FCC)。Sic离子键性比例为%，共价键性比例为%。SiC可视为共价键化合物。其晶体结构中单位晶胞由相同的面体结构构成硅原子处于中心，如图所示。h元氏县用示意图-中。镶嵌在研具中的磨粒如图-(，a)所示，对工件表面进行金钢砂地挤压，刻划，滑擦，在研具运动中当研具压嵌的磨粒脱落后及液中磨粒相对工件发生滚高性能金刚砂动如图-(b)所示，磨粒锋利的微刃继续刻划工件表面。对于硬脆材料的眨件
第一，
圆柱孔研磨T具的设计孔径小于或等于mm的圆柱孔。
第二，研磨工具用HT制造且制成可调整的。
第三，在室温，温及静压油温条件下抛光h。抛前加工面为光学金刚元氏县金刚石与磨料磨具工程砂磨料研磨面。
第四，测定结果如图-(a)所示。
第五，其质点在空间的分布具有周期性和对称性。人们习惯用空间几何图形来抽象地表示晶体结构。
第六，构成个空间网格。
第七，此即晶体点阵。
第八，则可形成各种各样的晶体结构。晶体可以看成由个。节点沿维方向按定距离重复地出现在节点而形成的。每个方向上节点距离称为该方向上晶体的周期。同晶体在不同方向的周期不定相同。从晶体结构中提取出来的以反映晶体周期性和对称性的小重复单元称为点阵节点。如果把待定的结构基元(离子，原子或分子)放置于不同的点阵节点上。
第九，造成系统界面焓△Gs增加。若新相与母相之间存在应变能。
第十，在室温，温及静压油温条件下抛光h。抛前加工面为光学金刚砂磨料研磨面λ=.μm。
在磨粒的挤压作用下，金刚砂工件表面可发生裂纹，如图-(c)所示。mA亲水性金刚石对水不，易粘油。这种疏水，亲；油的特征是由金刚石的电子sp杂化轨道的非极性共价键的本质决定的。这特征决定了可用油脂提取金刚石。在制造金刚石磨料时，宜选用含親油基团的有机物作为金刚石润湿剂。多磨粒均匀研磨，使被研磨表面发生微小起伏的塑性变形阶段。磨粒棱边进步被磨圆变钝，在磨粒不，断擠压下，研磨点侷部温度逐渐升高，使被研表面材料局部软化产生塑性变形，工件表面，峰谷在塑性流动中趋于平坦，并在反复变形中冷却硬化，后断裂形成微切屑。
